一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010587711.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111653491B | 公开（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申请公布号 | CN111653491B | 申请公布日 | 2021-12-17 |
| 分类号 | H01L21/50（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/473（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯光建 | 申请（专利权）人 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董世博 |
| 地址 | 313100浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，具体包括如下步骤：101）上散热底座制作步骤、102）散热底座制作步骤、103）芯片集成步骤；本发明通过在芯片底部设置散热微流通道做散热器，同时在芯片发热点位置或附近区域分布设置加装二次散热微流通道，使该区域热量能够更快的被散热流体带走，避免了热点因为热量较大而导致芯片失效的问题的一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法。 |
