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一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器

基本信息

申请号 CN202023137953.2 申请日 -
公开（公告）号 CN213958790U 公开（公告）日 2021-08-13
申请公布号 CN213958790U 申请公布日 2021-08-13
分类号 H01G4/228（2006.01）I;H01G4/224（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 谢志懋;邬文彬 申请（专利权）人 佛山市欣源电子股份有限公司
代理机构 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 代理人 罗炳锋
地址 528000广东省佛山市南海区西樵科技工业园内
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种低ESR双焊片MKPH‑S型IGBT电容器，包括外壳，所述外壳的内表面固定连接有接线端子，且外壳的底端端面固定连接有底垫，所述接线端子包括有长板，所述长板的右端端面固定连接有竖直板，所述竖直板的外表面固定连接有上焊片，且竖直板的外表面下方位置处固定连接有下焊片,本实用新型可使电容器喷金层与铜焊片的接触电阻降低一倍以上，从而达到降低电容器ESR提高IGBT吸收电容的吸收效果，进一步提高在电路中对IGBT管的保护效果，减少IGBT管应用中损坏，同时在使用时接线端子1具有良好的导电性可优秀的完成工作需求。