一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器
基本信息
| 申请号 | CN202023130278.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213958786U | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN213958786U | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01G4/224（2006.01）I;H01G2/22（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谢志懋;邬文彬 | 申请（专利权）人 | 佛山市欣源电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗炳锋 |
| 地址 | 528000广东省佛山市南海区西樵科技工业园内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器，涉及电容器领域，包括外壳，所述缠绕层的中部连接有金属镀膜处理层。本实用新型中，通过时效处理工艺，将屏蔽带所产生的留边上残存少量的屏蔽油处理掉，通过温度50℃±5℃，湿度≤20%，时间30H±6H，使金属化膜内部的晶体结构更趋于稳定，内部的多余油渍提前挥发沉积，在后续的生产过程不会由于其他各方面的因素而导致内部晶体结构变化。所以，经过此工艺处理后的薄膜它的性能更加优越，有效降低电容器的功耗。 |
