一种高压低衰减高显指LED及其实现方法

基本信息

申请号 CN201810459624.8 申请日 -
公开(公告)号 CN108649111B 公开(公告)日 2019-09-17
申请公布号 CN108649111B 申请公布日 2019-09-17
分类号 H01L33/48(2010.01)I; H01L25/075(2006.01)I; H01L33/62(2010.01)I; H01L33/50(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 董新立; 李凡胜; 卿志鹏 申请(专利权)人 江西艾立特光电科技有限公司
代理机构 南昌赣专知识产权代理有限公司 代理人 江西艾立特光电科技有限公司
地址 330006 江西省南昌市青山湖区昌东大道1111号南昌LED产业创新示范园第一栋
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高压低衰减高显指LED及其实现方法,属于LED制造技术领域,准备三颗100mA的蓝光芯片、一颗100mA的红光芯片、基板以及导电金丝,准备定量的YAG荧光粉以及硅胶并进行混合配料,将蓝光芯片与红光芯片固定在基板上并相互串联形成高压灯珠,再将混合配料涂覆在蓝光芯片上,最后进行封装;本发明通过三颗蓝光芯片以及一颗红光芯片相互串联形成高压灯珠并添加普通的YAG荧光粉实现一种高压低衰减高显指的白光LED,较于传统的高压白光LED,无需添加红色荧光粉即可实现高显色指数,而且可以避免红色荧光粉本身的化学稳定性差导致LED光衰减大、使用寿命短的问题,降低制造成本。