真空腔室及其压力控制方法以及半导体处理设备
基本信息
| 申请号 | CN202110222986.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035748A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035748A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L21/67;H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 万飞华;徐春阳 | 申请（专利权）人 | 楚赟精工科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄海霞 |
| 地址 | 201210 上海市浦东新区自由贸易试验区张江路665号3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种真空腔室，包括内腔，设有至少一个内腔进气管和至少一个内腔出气管；外腔，套设于内腔，设有至少一个外腔进气管和至少一个外腔出气管；腔门组件，位于外腔和内腔的至少一端部；第一供气组件，与内腔进气管连接；第二供气组件，与外腔进气管连接；排气组件，包括负压供给系统，连接内腔出气管和外腔出气管；密封组件，设于外腔与内腔之间；压力控制组件，控制第一供气组件、第二供气组件和排气组件，使内腔与外腔的压差保持在一个安全范围内，保护易碎或不耐压的内腔腔体，并且不受石英加工技术限制，实现大尺寸耐腐蚀高温真空腔室的应用。本发明还提供了一种半导体处理设备和一种真空腔室的压力控制方法。 |
