不加反并联续流二极管的全SiC功率模块
基本信息
| 申请号 | CN202111638449.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114465455A | 公开（公告）日 | 2022-05-10 |
| 申请公布号 | CN114465455A | 申请公布日 | 2022-05-10 |
| 分类号 | H02M1/088（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H02M7/487（2007.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 卢嵩岳;林少峰;陈永华;江天;张虹朗 | 申请（专利权）人 | 厦门三优光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市天富勤知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 361000福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼N505室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种不加反并联续流二极管的全SiC功率模块，4组MOSFET并联组由七片SiC MOSFET裸片并联组成，2组SiC SDB并联组由5片SiC SDB裸片并联；采用上述方案后，本发明模块采用全SiC芯片，损耗降低30％以上，最高工作温度提高25℃以上，同时降低了全SiC模块的材料成本，使得整体成本与增加反并联续流二极管的全SiC功率模块相比降低30％以上。 |
