一种外延片、平面型光电二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910708340.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110571300B | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN110571300B | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L31/105;H01L31/0304;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡艳;岳爱文;钟行;李晶;李明;马卫东 | 申请（专利权）人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李梅香;张颖玲 |
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种外延片，包括：衬底，以及位于所述衬底上的外延层；其中，所述衬底包括N型衬底；所述外延层，包括依次位于所述N型衬底上的耗尽区补偿层以及I型耗尽层；所述耗尽区补偿层为N型掺杂层，且其掺杂浓度在1e16cm‑3至5e16cm‑3的范围内。此外，本发明实施例还公开了一种平面型光电二极管、具有千兆位功能的无源光网络模块、以及一种平面型光电二极管的制备方法。 |
