商标进度
商标申请
1989-12-30
初审公告
1991-01-20
已注册
1991-04-20
4
终止
2031-04-19
商标详情
| 商标 |
W
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| 商标名称 | WTD | 商标状态 | 商标已注册 |
| 申请日期 | 1989-12-30 | 申请/注册号 | 549603 |
| 国际分类 | 09类-科学仪器 | 是否共有商标 | 否 |
| 申请人名称（中文） | 武汉电信器件有限公司 | 申请人名称（英文） | - |
| 申请人地址（中文） | 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号 | 申请人地址（英文） | - |
| 商标类型 | 出具商标注册证明---排版送达公告(商标注册证明) | 商标形式 | - |
| 初审公告期号 | 311 | 初审公告日期 | 1991-01-20 |
| 注册公告期号 | 549603 | 注册公告日期 | 1991-04-20 |
| 优先权日期 | - | 代理/办理机构 | - |
| 国际注册日 | - | 后期指定日期 | - |
| 专用权期限 | 2021-04-20-2031-04-19 | ||
| 商标公告 | - | ||
| 商品/服务 |
InGaAsPIN大面积探测器()
1300nmInGaAsP多模或单模激光二极管()
1550nmInGaAsP多模或单模激光二极管()
1300nmInGaAsP脉冲大功率激光二极管()
1300nmInGaAsP多模或单模发光二极管()
1550nmInGaAsP多模或单模发光二极管()
INGaAs光电二极管()
探测器(0910)
InGaAs雪崩光电二极管()
长波长光纤通信系统PIN/FET接收机前置放大器()
长波长光纤通信系统APD/FET接收机前置放大器()
1300NMInGaAsP多模或单模激光器组件()
1550nmInGaAsP多模或单模激光器组件()
1300nmInGaAsP多模或单模发光二极管()
1300nmInGaAsP多模或单模激光二极管()
1300NMInGaAsP多模或单模激光器组件()
1300nmInGaAsP脉冲大功率激光二极管()
1550nmInGaAsP多模或单模发光二极管()
1550nmInGaAsP多模或单模激光二极管()
1550nmInGaAsP多模或单模激光器组件()
InGaAsPIN大面积探测器()
INGaAs光电二极管()
InGaAs雪崩光电二极管()
长波长光纤通信系统APD/FET接收机前置放大器()
长波长光纤通信系统PIN/FET接收机前置放大器()
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| 商标流程 |
1989-12-30
商标注册申请---申请收文
2004-12-07
变更商标申请人/注册人名义/地址---申请收文
2004-12-30
变更商标申请人/注册人名义/地址---打印受理通知
2005-03-03
变更商标申请人/注册人名义/地址---打印核准变更证明
2011-06-16
商标续展---申请收文
2011-07-29
商标续展---打印核准续展注册商标证明
2014-02-20
出具商标注册证明---申请收文
2014-03-13
出具商标注册证明---打印注册证明
2014-06-20
出具商标注册证明---有退信(商标注册证明)
2015-05-23
出具商标注册证明---排版送达公告(商标注册证明) |
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