一种利用缺陷和杂质改进单晶金刚石晶种外延生长的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010662250.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111778556A | 公开（公告）日 | 2020-10-16 |
| 申请公布号 | CN111778556A | 申请公布日 | 2020-10-16 |
| 分类号 | C30B29/04(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵效铭 | 申请（专利权）人 | 物生生物科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 安丽 |
| 地址 | 101320北京市顺义区仁和镇林河北大街21号院1幢5层2单元606 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种利用缺陷和杂质改进单晶金刚石晶种外延生长的方法，适用于微波等离子体化学气相沉积方法(CVD)外延生长单晶金刚石，包括步骤：步骤一、确定单晶金刚石表面的杂质和缺陷浓度。步骤二、进行杂质和缺陷处理。步骤三、进行表面氢化处理。步骤四、进行高速外延生长。本发明能够利用内部缺陷和杂质含量高的单晶金刚石的品质缺点，提高外延金刚石的生长速率，改进产品质量。 |
