一种用于大尺寸单晶金刚石拼接生长工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种用于大尺寸单晶金刚石拼接生长工艺

基本信息

申请号	CN202011281272.5	申请日	-
公开（公告）号	CN112391680A	公开（公告）日	2021-02-23
申请公布号	CN112391680A	申请公布日	2021-02-23
分类号	C30B33/06(2006.01)I;	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	张涛;闫石;赵效铭	申请（专利权）人	物生生物科技（北京）有限公司
代理机构	北京科迪生专利代理有限责任公司	代理人	安丽
地址	101320北京市顺义区仁和镇林河北大街21号院1幢5层2单元606
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种用于大尺寸单晶金刚石拼接生长工艺，适用于微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)外延生长单晶金刚石，包括步骤：步骤一、加工单晶金刚石晶种片边缘呈榫接口状。步骤二、进行边缘接口的清理。步骤三、将完成拼接的多个晶种进行双面打磨，以降低高度差。步骤四、将边缘呈榫接口状的金刚石晶种拼接到一起。步骤五、将打磨后的金刚石采用MPCVD法对拼接打磨后的晶种进行生长。本发明通过可微米级的榫接缝隙技术，使单晶金刚石生长过程中的应力弛豫，提高生长效果。利用榫接、边缘处理、高度差处理等工艺实现大尺寸单晶金刚石的拼接生长，本发明获得的大尺寸单晶金刚石具有平整度高，拼接部位应力小等优点，可以获得高品质、大尺寸的单晶金刚石。