具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110480400.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113410349A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113410349A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | H01L33/10（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陶羽宇;孙炳蔚 | 申请（专利权）人 | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 吕耀萍 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供了具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底与n‑AlInP限制层之间设置第一布拉格反射镜，在p‑AlInP限制层与p‑GaP欧姆接触层之间设置第二布拉格反射镜。发光层发出的大部分光线在第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜之间出现散射与漫反射的情况，且在遇到第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜均被反射，最后从第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜之间的外延层的侧壁出射，会被衬底吸收的光线较少，二极管的出光率会比较高。光线的出射更为均匀，提高最终得到的发光二极管的出光效率与出光均匀度。 |
