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一种发光二极管外延片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010226988.9 申请日 -
公开（公告）号 CN111554785B 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN111554785B 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L33/32;H01L33/02;H01L33/12 分类 基本电气元件;
发明人 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 申请（专利权）人 华灿光电（苏州）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。发光二极管外延片的缓冲层包括沿外延片的生长方向层叠的：第一GaN子层作为后续第一SINx子层等结构的生长基础，第一SINx子层上形成部分微孔，位错被截断在第一SINx子层与第二GaN子层之间。在第二GaN子层上生长第二SINx子层，避免位错延伸至N型GaN层及有源层内。最终在第二SINx子层上生长第三GaN子层，作为过渡层保证后N型GaN层及有源层的质量。延伸至N型GaN层及有源层的位错较少，可以有效提高外延层的整体质量，有源层内会形成的缺陷较少，有源层内的非辐射复合减少，有效提高了发光二极管的发光效率。