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一种发光二极管外延片及其制造方法

基本信息

申请号 CN201811062243.2 申请日 -
公开（公告）号 CN109449264B 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN109449264B 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 陶章峰;乔楠;张武斌;余雪平;程金连;胡加辉 申请（专利权）人 华灿光电（苏州）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 徐立
地址 215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的多量子阱层为多周期的超晶格结构，每个超晶格结构均包括InGaN量子阱层和依次层叠在InGaN量子阱层上的过渡层和GaN量子垒层，过渡层包括第一子层和设置在第一子层上的第二子层，第一子层为AlInN层，第二子层为AlGaN层。AlInN材料与InGaN材料晶格比较匹配，AlGaN材料与GaN材料的晶格比较匹配，且AlInN材料与GaN材料的晶格也比较匹配，因此通过设置第一子层和第二子层可以减少InGaN量子阱层与GaN量子垒层之间的晶格失配，从而减少缺陷的产生，提高电子和空穴在多量子阱层的辐射复合发光效率。