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具有反射结构的红光二极管芯片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110529994.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113488566A 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN113488566A 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L33/10（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 石祥生;邢振远;王世俊;梅劲 申请（专利权）人 华灿光电（苏州）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 215600江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了具有反射结构的红光二极管芯片及其制备方法，属于红光二极管制作领域。在衬底与n型AlInP限制层之间增加反射结构，反射结构本身反射的光线的波长范围为600～900nm，反射结构可以包括依次层叠的n个布拉格反射镜，每个布拉格反射镜所反射的光线的波长逐渐增加，对几乎红光波长范围内的所有光线进行反射，有效保证红光二极管的出光效率。在布拉格反射镜的数量较多的情况下，也可以大幅度提高对不是垂直入射的光线的反射率，最终有效提高红光二极管的外量子效率以提高红光二极管的出光效率。