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发光二极管外延片的生长方法

基本信息

申请号 CN202011061544.0 申请日 -
公开（公告）号 CN112186080B 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN112186080B 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 从颖;姚振;梅劲 申请（专利权）人 华灿光电（苏州）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 215600江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长N型层、有源层和P型层；在衬底上生长N型层包括：在衬底上生长多个周期交替生长的第一N型层和第二N型层，其中，在高温低温交替的条件下，以第一转速生长第一N型层，在低温条件下，以第二转速生长第二N型层；第一转速大于第二转速，第一N型层中Si的掺杂浓度大于第二N型层中Si的掺杂浓度。采用该生长方法可以改善外延片的翘曲，使得后续有源层生长过程中，In源能够均匀分布在外延片上，发光二极管最终的各项参数的一致性更好。