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一种发光二极管外延片及其制备方法

基本信息

申请号	CN201811287337.X	申请日	-
公开（公告）号	CN109509817B	公开（公告）日	2021-10-08
申请公布号	CN109509817B	申请公布日	2021-10-08
分类号	H01L33/12（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	刘旺平;乔楠;胡加辉	申请（专利权）人	华灿光电（苏州）有限公司
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	徐立
地址	215600江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。一种发光二极管外延片，该外延片包括：衬底、以及顺次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层、及P型接触层，该外延片还包括BGaN插入层，BGaN插入层位于多量子阱层和电子阻挡层之间，多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，阱垒层包括InGaN量子阱和AlGaN量子垒，靠近N型掺杂GaN层的阱垒层中的InGaN量子阱与N型掺杂GaN层接触，靠近电子阻挡层的阱垒层中的AlGaN量子垒与BGaN插入层接触，电子阻挡层包括多个层叠的复合层，复合层包括第一复合子层，第一复合子层包括第一AlGaN层，靠近多量子阱层的复合层中的第一AlGaN层与BGaN插入层接触。