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紫外发光二极管外延片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010970745.6 申请日 -
公开（公告）号 CN112289900B 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN112289900B 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 刘旺平;梅劲;张武斌;刘春杨 申请（专利权）人 华灿光电（苏州）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 215600江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将衬底与n型AlGaN层之间的缓冲层设置为包括交替层叠的AlGaN子层与SiN子层。SiN子层则可以抑制AlGaN子层生长时存在的缺陷进一步向上延伸至n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层中。AlGaN子层与SiN子层交替层叠，可释放底层AlGaN子层与SiN子层积累的应力，使得最靠近n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层的AlGaN子层与SiN子层中的应力与缺陷相对较少。使生长在缓冲层上的n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层的质量得到进一步提高，最终得到的发光二极管中的发光效率得到提高。