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微型发光二极管外延片的生长方法

基本信息

申请号 CN202011040907.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112164739B 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN112164739B 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L33/00;C23C16/44 分类 基本电气元件;
发明人 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 申请（专利权）人 华灿光电（苏州）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种微型发光二极管外延片的生长方法，生长方法包括：在衬底上生长外延层；在衬底上生长外延层时，在反应腔腔盖通入吹扫气体，将反应腔内产生的副产物吹扫到反应腔的尾气端，使副产物排到反应腔外；吹扫气体的使用量与各层生长所需的MO源使用量、各层生长所需的反应气体的流量、各层的生长厚度、各层掺杂浓度均呈正相关；吹扫气体的使用量还与外延层各层的生长阶段相关，外延层各层的生长阶段分为初始生长阶段、中间生长阶段和结束生长阶段，吹扫气体在中间生长阶段时的使用量大于在初始生长阶段和结束生长阶段时的使用量。该生长方法可以减少外延片生长过程中表面颗粒物的产生，形成优良表面，保证微型发光二极管的发光效果。