一种基于MOS@MOF的氢气传感器、孔隙调控及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于MOS@MOF的氢气传感器、孔隙调控及制备方法

基本信息

申请号	CN202111074941.6	申请日	-
公开（公告）号	CN113866243A	公开（公告）日	2021-12-31
申请公布号	CN113866243A	申请公布日	2021-12-31
分类号	G01N27/414（2006.01）I	分类	测量；测试;
发明人	王晓夏;李享;周婷婷;曾大文	申请（专利权）人	武汉铂纳智感科技有限公司
代理机构	武汉东喻专利代理事务所（普通合伙）	代理人	宋敏
地址	430000湖北省武汉市东湖新技术开发区现代光谷世贸中心K栋13层
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于MOS@MOF的氢气传感器，通过在MOF包覆层的孔径中以颗粒的形态嵌入贵金属颗粒，进一步缩小了气体通过通道，阻隔了绝大部分其他干扰气体，显著提高了MOS@MOF对氢气的选择性；同时，嵌入的贵金属颗粒的催化作用可以降低氢气在MOS表面反应的活化能，促进氢气与吸附氧离子的反应，从而有效增强MOS@MOF的响应性能，开发出兼顾高选择性和高灵敏度的复合材料氢气传感器。这种MOF包覆层和嵌入金属粒子协同作用对制备的氢气传感器性能提高起到了关键作用。进一步提出了以调控嵌入的金属纳米颗粒的形态尺寸的大小的方式，对孔隙进行主动调控，气体筛分性能表现出了材料可调控的气敏选择性，为设计MOF分子筛材料以及MOS@MOF气体传感器提供了一个新的通用思路。