硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统专利查询专利号|摘要-满商公司网

硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统

基本信息

申请号	CN202020936582.5	申请日	-
公开（公告）号	CN211980623U	公开（公告）日	2020-11-20
申请公布号	CN211980623U	申请公布日	2020-11-20
分类号	H01L31/02(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	张玺;徐青;王麟	申请（专利权）人	湖北京邦科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	436044湖北省鄂州市梧桐湖新区东湖高新科技创意城A03栋
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统，该硅光电倍增器包括：雪崩光电二极管阵列，其包括第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管，并且第二雪崩光电二极管设置在第一雪崩光电二极管的外围，以将第一雪崩光电二极管与第一电极间隔开；淬灭单元，其用于在雪崩光电二极管阵列发生雪崩击穿效应时对雪崩光电二极管阵列进行淬灭，其中，第一雪崩光电二极管的两端分别与第一电极和第二电极连接；第二雪崩光电二极管的两端分别与第一电极和第三电极连接，当第二雪崩光电二极管处于工作状态时，在其内形成的耗尽区在深度方向上至少覆盖外延层的一部分。通过利用本实用新型提供的技术方案，可以实现提高对波长较长的光子的探测效率。