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半导体装置和光电探测系统

基本信息

申请号 CN202020943631.8 申请日 -
公开（公告）号 CN211980628U 公开（公告）日 2020-11-20
申请公布号 CN211980628U 申请公布日 2020-11-20
分类号 H01L31/101(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 徐青;张玺;王麟;尼古拉达申佐;谢庆国 申请（专利权）人 湖北京邦科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 436044湖北省鄂州市梧桐湖新区东湖高新科技创意城A03栋
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种半导体装置和光电探测系统，该半导体装置可以包括：衬底；外延层，其位于所述衬底的上方，并且与所述衬底均呈第一导电类型；第一掺杂区，其形成于所述外延层中的远离所述衬底的一侧，呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且通过所述第一掺杂区形成所述半导体装置的输出端；第二掺杂区，其形成于所述一侧并呈所述第二导电类型；第三掺杂区，其形成于所述一侧并呈所述第一导电类型，其中，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间，并且所述衬底、所述第一掺杂区至所述第三掺杂区的掺杂浓度均大于所述外延层的掺杂浓度。通过利用本实用新型提供的技术方案，可以提高对波长较长的光子的探测效率。