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一种增强超高频RFID标签反射功率的方法

基本信息

申请号	CN201811283580.4	申请日	-
公开（公告）号	CN109447223B	公开（公告）日	2021-09-14
申请公布号	CN109447223B	申请公布日	2021-09-14
分类号	G06K19/077	分类	计算；推算；计数;
发明人	沈红伟	申请（专利权）人	华大恒芯科技有限公司
代理机构	北京元本知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黎昌莉
地址	610015 中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府五街200号4号楼B座1至3楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种增强标签反射功率的方法，包括确定标签芯片的吸收状态阻抗值Z_absorb；设定天线阻抗Z_ant＝Z_absorb*，其中Z_absorb*是标签芯片的吸收状态阻抗值Z_absorb的共轭阻抗，改变芯片调制电路阻抗，使得反射功率P_re达到第一值；从而确定标签芯片的反射状态阻抗值Z_reflect；将天线阻抗Z_ant设定为最大值Z_{ant_max}，使得反射功率P_re达到最大反射功率；在天线阻抗Z_ant＝Z_absorb*的情况下，计算灵敏度损失和反射系数差绝对值；在天线阻抗Z_ant＝Z_{ant_max}的情况下，计算灵敏度损失和反射系数差绝对值；以及在最大反射功率和最小灵敏度损失值之间进行折中，从而确定标签芯片的反射功率。