一种晶圆级封装用钛蚀刻液
基本信息
| 申请号 | CN202011527044.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112725803A | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN112725803A | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | C23F1/38 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 侯军;武文东 | 申请（专利权）人 | 江苏奥首材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 大连星海专利事务所有限公司 | 代理人 | 杨翠翠 |
| 地址 | 116000 辽宁省大连市高新区高能街125号云计算中心 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种晶圆级封装用钛蚀刻液，其属于蚀刻液的技术领域。该蚀刻液包括碱、硫酸盐、氨基酸共聚物、烷基糖苷表面活性剂、有机膦系化合物、过氧化氢以及水。钛蚀刻液中氨基酸共聚物属多氨基、多羧基、多羟基的大分子聚合物，具有优秀的络合、吸附、分散等性能。良好的金属离子络合特性能够将蚀刻液体系中的金属离子掩蔽，降低金属离子对过氧化氢的分解促进作用，从而提升蚀刻液体系的稳定性，延长蚀刻液寿命。不仅降低了金属的腐蚀，而且减少了侧蚀，将临界尺寸损失（CD‑loss）控制在了200nm以内，为晶圆级封装领域中超精细线路的制备提供了有效的技术支持。 |
