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采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法

基本信息

申请号 CN201610496893.2 申请日 -
公开（公告）号 CN106187195B 公开（公告）日 2018-11-30
申请公布号 CN106187195B 申请公布日 2018-11-30
分类号 C04B35/565;C04B35/64 分类 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人 刘洁;付旻慧;刘凯;史玉升;王君昆;宋军;曹平 申请（专利权）人 北京九鼎通信设备有限公司
代理机构 华中科技大学专利中心 代理人 梁鹏
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂‑碳化硅混合粉末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模，并将三维数字模型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂‑碳化硅混合粉末为原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将固化后的所述碳化硅素坯放置于由Ar保护的中温管式烧结炉中进行碳化处理，以得到多孔碳化硅坯件；将所述多孔碳化硅胚件在真空下进行熔渗烧结处理，以得到致密的碳化硅陶瓷件。