一种具有隔离保护环的无背电极光电探测器阵列结构

基本信息

申请号 CN201921424114.3 申请日 -
公开(公告)号 CN210349838U 公开(公告)日 2020-04-17
申请公布号 CN210349838U 申请公布日 2020-04-17
分类号 H01L27/144;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 董自勇;盛振;汪斌;李文刚 申请(专利权)人 江苏尚飞光电科技股份有限公司
代理机构 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 江苏尚飞光电科技股份有限公司
地址 226017 江苏省南通市苏通科技产业园区江成路1088号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种具有隔离保护环的无背电极光电探测器阵列结构,包括半导体硅衬底、P+型隔离槽和N+掺杂区;所述P+型隔离槽设置在半导体硅衬底的正面;所述N+掺杂区设置在半导体硅衬底的正面和背面;所述半导体硅衬底正面的P+型隔离槽和N+掺杂区交错间隔设置;所述P+型隔离槽上端设有电极阳极;所述半导体硅衬底正面的N+掺杂区上设有电极阴极;所述电极阴极处采用N+/P+/N+隔离保护环结构;所述N+/P+/N+隔离保护环通过将P+型隔离槽增加设置在N+掺杂区中间组合而成;所述半导体硅衬底正面和背面还设有增透膜;所述电极阴极和电极阳极均设置在同一侧;本实用新型符合探测器器件轻薄化发展要求,降低生产成本,有利于载流子收集和减小串扰。