一种采用TSV技术的无背电极光电探测器阵列结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN201910808012.X 申请日 -
公开(公告)号 CN110518026A 公开(公告)日 2019-11-29
申请公布号 CN110518026A 申请公布日 2019-11-29
分类号 H01L27/144;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 董自勇;盛振;汪斌;李文刚 申请(专利权)人 江苏尚飞光电科技股份有限公司
代理机构 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 王新爱
地址 226017 江苏省南通市苏通科技产业园区江成路1088号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种采用TSV技术的无背电极光电探测器阵列结构及其制备方法,包括半导体硅衬底、P+型隔离槽和N+掺杂区;所述P+型隔离槽设置在半导体硅衬底的正面;所述N+掺杂区设置在半导体硅衬底的正面和背面;所述半导体硅衬底正面的P+型隔离槽和N+掺杂区交错间隔设置;所述半导体硅衬底正面的N+掺杂区上设有电极阴极;所述P+型隔离槽上端设有电极阳极;所述半导体硅衬底正面和背面还设有增透膜;所述电极阴极和电极阳极均设置在同一侧;本发明通过将电极设置在同一侧,符合探测器器件轻薄化发展要求,降低生产成本,将半导体硅衬底正面与背面的N+掺杂区采用TSV技术,实现正反面N+掺杂区的连通,有利于载流子收集和减小串扰。