一种采用TSV技术的无背电极光电探测器阵列结构及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201910808012.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110518026A | 公开(公告)日 | 2019-11-29 |
申请公布号 | CN110518026A | 申请公布日 | 2019-11-29 |
分类号 | H01L27/144;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 董自勇;盛振;汪斌;李文刚 | 申请(专利权)人 | 江苏尚飞光电科技股份有限公司 |
代理机构 | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 王新爱 |
地址 | 226017 江苏省南通市苏通科技产业园区江成路1088号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种采用TSV技术的无背电极光电探测器阵列结构及其制备方法,包括半导体硅衬底、P+型隔离槽和N+掺杂区;所述P+型隔离槽设置在半导体硅衬底的正面;所述N+掺杂区设置在半导体硅衬底的正面和背面;所述半导体硅衬底正面的P+型隔离槽和N+掺杂区交错间隔设置;所述半导体硅衬底正面的N+掺杂区上设有电极阴极;所述P+型隔离槽上端设有电极阳极;所述半导体硅衬底正面和背面还设有增透膜;所述电极阴极和电极阳极均设置在同一侧;本发明通过将电极设置在同一侧,符合探测器器件轻薄化发展要求,降低生产成本,将半导体硅衬底正面与背面的N+掺杂区采用TSV技术,实现正反面N+掺杂区的连通,有利于载流子收集和减小串扰。 |
