一种具有室温铁磁性和高紫外光透过的Ga2O3/(Ga1-xFex)2O3薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610227749.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105845824B | 公开（公告）日 | 2018-09-14 |
| 申请公布号 | CN105845824B | 申请公布日 | 2018-09-14 |
| 分类号 | H01L43/10;H01L43/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭道友;闫汇;王顺利;李培刚;唐为华;沈静琴 | 申请（专利权）人 | 北京镓创科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 浙江理工大学 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市江干经济开发区白杨街道2号大街928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有室温铁磁性和高紫外光透过的Ga2O3/(Ga1‑xFex)2O3薄膜及其制备方法，该薄膜表现为室温铁磁性，在深紫外区具有高的透过率，可以透过高能量的光子。该薄膜可以用于研究高能量光子与电子自旋的相互作用。该薄膜具体制备方法是以c面蓝宝石为衬底，通过激光分子束外延技术多次循环沉积Ga2O3薄层和过渡金属Fe薄层，利用高温层间相互扩散的方式实现过渡金属元素掺杂的Ga2O3/(Ga1‑xFex)2O3多层薄膜。本发明提供的这种制备Ga2O3/(Ga1‑xFex)2O3多层薄膜的方法，能够通过调节沉积Fe层的激光脉冲次数实现不同Fe掺杂的(Ga1‑xFex)2O3薄膜，整个过程都在同一个腔体内进行保证了样品的纯度，采用的设备简单常见，非常利于推广。本发明制备的Ga2O3/(Ga1‑xFex)2O3薄膜是一种非常有前景的稀磁半导体材料。 |
