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一种基于Sm2O3/n‑Si异质结构的紫外光电器件的制备方法

基本信息

申请号 CN201510287431.5 申请日 -
公开（公告）号 CN104934501B 公开（公告）日 2017-03-22
申请公布号 CN104934501B 申请公布日 2017-03-22
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李培刚;潘傲秋;王顺利;沈静琴;刘晗;吴小平 申请（专利权）人 北京镓创科技有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 张法高
地址 101300 北京市顺义区昌金路赵全营段56号院1号楼1层3070室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种紫外光电器件的制备方法，具体是指一种基于Sm2O3/n‑Si异质结构的紫外光电器件的制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在N型Si（100）衬底上沉积一层Sm2O3薄膜，然后利用掩膜版在衬底和薄膜上沉积一层约50纳米厚的金（Au）膜作为电极使用。紫外光电器件的光电性能测试结果显示该器件具有很好的光电响应。本发明的优点是：本发明制备的光电器件性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有好的潜在应用；另外，该制备工艺具有可控性强，操作简单，普适性好等特点，具有很大的应用前景。