一种单双极共存双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种单双极共存双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法

基本信息

申请号	CN201510613307.3	申请日	-
公开（公告）号	CN105226182B	公开（公告）日	2018-01-12
申请公布号	CN105226182B	申请公布日	2018-01-12
分类号	H01L45/00;H01L27/115	分类	基本电气元件;
发明人	李培刚;支钰崧;汪鹏超;王顺利;李超荣;唐为华;沈静琴	申请（专利权）人	北京镓创科技有限公司
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	郑海峰
地址	101300 北京市顺义区昌金路赵全营段56号院1号楼1层3070室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种单双极共存双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法。该阻变存储器具有结构稳定和单双极共存的存储性能，具体是指以金属Ti/Au为上电极、以ITO作为衬底和下电极，利用射频磁控沉积技术在ITO衬底上先后镀上Cu₂O和Ga₂O₃薄膜而形成阻变层，最后利用射频磁控溅射的方法在ITO的衬底上和已经镀氧化镓的薄膜上溅射钛(Ti)和金(Au)薄膜，从而得到了ITO/Cu₂O/Ga₂O₃/Ti/Au结构的存储器件，并实现了单双极阻变共存、稳定的保持特性的存储性能。本发明的优越性在于：通过异质结界面处缺陷的移动而产生单双极阻变,制备的阻变存储器件具有稳定的保持特性、循环特性等多种优异的阻变存储性能，即综合存储性能的显著提高。