基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法

基本信息

申请号	CN201610782045.8	申请日	-
公开（公告）号	CN106229373B	公开（公告）日	2017-07-28
申请公布号	CN106229373B	申请公布日	2017-07-28
分类号	H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	郭道友;王顺利;时浩泽;吴杰涛;李培刚;唐为华;沈静琴	申请（专利权）人	北京镓创科技有限公司
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	郑海峰
地址	101300 北京市顺义区昌金路赵全营段56号院1号楼1层3070室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于β‑Ga₂O₃/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指采用磁控溅射在NSTO单晶衬底上生长高结晶度的β‑Ga₂O₃薄膜作为光敏层，再在其上溅射直径为3mm的半透明Au/Ti电极作为透光电极，并采用机械力分别压印直径约为0.2mm和2mm的In电极作为上电极和下电极，制备获得的β‑Ga₂O₃/NSTO异质结日盲紫外光电探测器。本发明首次采用商业化的NSTO单晶衬底与β‑Ga₂O₃薄膜形成异质结结构用于日盲紫外光的探测，该异质结器件可工作于0V偏压下，具有零功耗工作的特点。本发明中β‑Ga₂O₃薄膜的生长采用商业化的磁控溅射方法，制备过程简单，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好等优势。该发明制备的零功耗β‑Ga₂O₃/NSTO异质结光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。