一种用于冷坩埚法制备氧化镓单晶的坩埚设计和制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111361482.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114108086A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114108086A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | C30B29/16（2006.01）I;C30B1/10（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李培刚;王进进;李龙;陈梅艳;严旭 | 申请（专利权）人 | 北京镓创科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京化育知识产权代理有限公司 | 代理人 | 闫露露 |
| 地址 | 101322北京市顺义区昌金路赵全营段56号院1号楼3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于冷坩埚法制备氧化镓单晶的坩埚设计和制备方法，冷坩埚由坩埚壁、缓冲层以及氧化镓挤压层构成，其中所述缓冲层附在所述坩埚壁内侧和所述氧化镓挤压层外侧，所述坩埚壁的厚度大于所述氧化镓挤压层的厚度，所述缓冲层的厚度小于所述氧化镓挤压层的厚度。有益效果在于：本发明采用新型冷坩埚并借助冷坩埚法生长氧化镓单晶，有效避免了高温熔体对坩埚的腐蚀，减少了坩埚对熔体的污染，同时不再需要使用铱金或铂铑坩埚等贵金属坩埚，极大地降低了制备氧化镓单晶的坩埚成本，从而降低了制备氧化镓单晶的的生产成本。 |
