一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计
基本信息
| 申请号 | CN202111363304.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114059042A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114059042A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | C23C16/40（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/448（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李培刚;季学强;李龙;陈梅艳;严旭 | 申请（专利权）人 | 北京镓创科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京化育知识产权代理有限公司 | 代理人 | 闫露露 |
| 地址 | 101322北京市顺义区昌金路赵全营段56号院1号楼3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计，它包括以下步骤：步骤1：将乙酰丙酮镓在常温下溶于去离子水中，加入Ga金属离子配置成前驱体溶液，并将将配置好的前驱体溶液与盐酸溶液均匀混合；步骤2：将蓝宝石衬底依次在在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10min后然后用氮气吹干，再将蓝宝石衬底放入Mist CVD装置中进行薄膜生长。有益效果在于：本发明制备过程简单，所用衬底为商业产品，来源广，同时在制备过程中，采用商业化的制备方法Mist CVD生长大尺寸β‑Ga2O3薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好，为氧化镓基器件提供可靠的外延生长手段。 |
