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基于氧化镓/CuAlO2异质结日盲型紫外探测器的制备方法

基本信息

申请号 CN201611057998.4 申请日 -
公开（公告）号 CN106449889B 公开（公告）日 2017-10-31
申请公布号 CN106449889B 申请公布日 2017-10-31
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李小云;黄咸康;吕铭;时浩泽;钱银平;王坤;王顺利 申请（专利权）人 北京镓创科技有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 郑海峰
地址 101300 北京市顺义区昌金路赵全营段56号院1号楼1层3070室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种基于氧化镓/CuAlO2异质结日盲型紫外探测器的制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在石英(SiO2)衬底上沉积一层p‑CuAlO2薄膜，然后利用掩膜板并再次通过射频磁控溅射技术在p‑CuAlO2薄膜上沉积一层n‑Ga2O3薄膜，其面积是p‑CuAlO2薄膜面积的一半，最后利用射频磁控溅射技术在p‑CuAlO2和n‑Ga2O3薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是：所制备的日盲型紫外探测器性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有广阔的应用范围；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。