首页/ 浙江泓芯半导体有限公司/ 专利详情

高压深刻蚀石英盖板

基本信息

申请号 CN202021712326.4 申请日 -
公开（公告）号 CN212648201U 公开（公告）日 2021-03-02
申请公布号 CN212648201U 申请公布日 2021-03-02
分类号 H01L21/673(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 兰锋 申请（专利权）人 浙江泓芯半导体有限公司
代理机构 浙江永鼎律师事务所 代理人 陆永强
地址 324000浙江省衢州市柯城区航埠镇通航一路3号1幢、2幢、3幢
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种高压深刻蚀石英盖板，包括石英盖板本体、散热片、第一支撑板、第二支撑板、盖板合页以及加固槽，所述石英盖板本体的表面设置有散热片，所述第一支撑板设置于石英盖板本体的左侧，所述第二支撑板设置于石英盖板本体的右侧，所述盖板合页设置于石英盖板本体的下侧，所述加固槽活动安装于石英盖板本体的后部，辅助使用承载装置进行多枚硅片的盛放，需要通过盖板辅助承载装置进行硅片的保存，可用于保温筒使用，从而保存硅片。本实用新型适用于高压深刻蚀作用，其表面刻蚀液不易被自然风干燥及与硅片接触造成磨损碰撞，有助于提高散热效率，延长硅片的保存时长。