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一种单片硅基微压传感器及其制作方法

基本信息

申请号 CN201810222541.7 申请日 -
公开（公告）号 CN108458820A 公开（公告）日 2018-08-28
申请公布号 CN108458820A 申请公布日 2018-08-28
分类号 G01L1/22 分类 测量；测试;
发明人 沈绍群;罗小勇;阮炳权 申请（专利权）人 广东和宇传感器有限公司
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人 广东和宇传感器有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司
地址 529100 广东省江门市新会区会城西门路圭峰高科技园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种单片硅基微压传感器及其制作方法，通过在硅基片之中的腐蚀坑之中，制作背岛结构，而在背岛结构之中，包括有用于稳定测量的背岛，相对于常见的厚度为400微米左右的微压传感器，本发明的背岛的体积很小，而且背岛底面与硅基片的边框平面距离远远大于5－10微米，所以，本发明的单片硅基微压传感器之中的背岛不会受到硅基片的厚度限制，从而能够提高产出率、降低成本；与传统的E型结构相比，更能够克服大背岛的自重效应，从而提高稳定性；此外，还能够避免出现背岛与玻璃键合而导致器件失效的问题；另外，还能够形成厚度一致性好、灵敏度一致性好的弹性硅膜，从而适宜于大规模生产。