一种双平衡FET混频器
基本信息
| 申请号 | CN201911007933.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110784179B | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN110784179B | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | H03D7/14（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 姚鸿飞 | 申请（专利权）人 | 北京信芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 叶以方 |
| 地址 | 100089北京市海淀区学院路35号世宁大厦14层1405-012 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了双平衡FET混频器，所述双平衡FET混频器包括FET环形混频核心、射频平面巴伦、本振平面巴伦和中频平面巴伦，所述FET环形混频核心由第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管相互连接而成，所述射频平面巴伦、本振平面巴伦和中频平面巴伦均采用MARCHAND巴伦，直流偏置电压VG通过本振平面巴伦的耦合线引入到四个FET器件的栅级，四个FET器件的栅压直流偏置电压VG，通过调节直流偏置电压VG来控制第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管的偏置状态。 |
