半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010752555.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114068701A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114068701A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡巧明;张云香;金美晨 | 申请（专利权）人 | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高静 |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，基底中形成有阱区，所述基底包括：用于形成沟道区的预设区域；漂移区，沿沟道区长度的方向，位于预设区域两侧且与预设区域相邻接；环绕所述预设区域和漂移区的阱区接触结构，沿所述沟道区长度的方向，所述阱区接触结构与相邻的漂移区之间具有第一间隔；包覆所述阱区接触结构的阱区连接区，沿所述沟道区长度的方向，所述阱区连接区与相邻的漂移区之间具有第二间隔，所述第二间隔比第一间隔小0nm至300nm；栅极结构，位于所述预设区域上且延伸覆盖部分的漂移区；源漏掺杂区，位于所述栅极结构露出的漂移区中。本发明实施例有利于提高LDMOS器件的性能。 |
