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半导体结构及其形成方法

基本信息

申请号 CN202010492484.1 申请日 -
公开（公告）号 CN113764504A 公开（公告）日 2021-12-07
申请公布号 CN113764504A 申请公布日 2021-12-07
分类号 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 蔡巧明;张云香;魏兰英 申请（专利权）人 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
代理机构 北京市一法律师事务所 代理人 刘荣娟
地址 100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离结构；在所述半导体衬底和隔离结构表面形成栅极结构，所述栅极结构包括形成于所述半导体衬底和隔离结构表面的栅介质层以及形成于所述栅介质层表面的栅极层；在所述栅极结构两侧形成侧墙；去除位于所述隔离结构上的部分栅极层，露出部分栅介质层的表面，之后在对应位置填入金属栅。本申请提供的半导体结构及其形成方法可以解决现有器件出现的漏电与失配问题，大幅度提高半导体制造工艺的容错率。