半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010928090.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114156334A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114156334A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/822（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡巧明;乔欢 | 申请（专利权）人 | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高静 |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一区域和用于形成第二器件的第二区域，第一器件大于第二器件的工作电压，基底上形成有沿第一方向延伸、且由下而上依次堆叠的高k栅介质层、金属阻挡层和多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧基底中形成有源漏掺杂区；在多晶硅栅极侧部的基底上形成层间介质层；在第一区域的多晶硅栅极中形成第一沟槽，包括沿第一方向延伸的竖向沟槽、以及与竖向沟槽的端部相连通的横向沟槽，横向沟槽沿第二方向延伸；去除第二区域的多晶硅栅极，在层间介质层中形成栅极开口；在第一沟槽和栅极开口中形成金属栅极。本发明降低了第一器件的栅极电阻，从而提高半导体结构的性能。 |
