半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010850996.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114078770A | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN114078770A | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | H01L21/8238（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡巧明;张云香;魏兰英 | 申请（专利权）人 | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高静 |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，用于形成第一型掺杂晶体管，包括多个分立的有源区以及位于所述有源区之间的隔离区；在基底上形成位于所述有源区和隔离区的多晶硅栅极；去除位于所述隔离区的多晶硅栅极，在所述多晶硅栅极中形成开口；在所述开口中填充金属栅极，所述金属栅极包括位于所述开口底部的功函数层，所述功函数层的材料包括第二型功函数金属，所述第二型与第一型不同。本发明实施例有利于改善漏电流的问题、提升器件的匹配度。 |
