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半导体结构及其形成方法

基本信息

申请号 CN202010519750.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113782426A 公开（公告）日 2021-12-10
申请公布号 CN113782426A 申请公布日 2021-12-10
分类号 H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 蔡巧明;张云香 申请（专利权）人 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
代理机构 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 高静
地址 100176北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括第一区域和第二区域；形成位于第一区域基底上的多晶硅栅极、位于第二区域基底上的金属栅极、以及位于多晶硅栅极和金属栅极侧部基底上的层间介质层；在第二区域的层间介质层上形成覆盖金属栅极的保护层，保护层露出多晶硅栅极；在多晶硅栅极的顶面形成栅极硅化物层。栅极硅化物层形成在多晶硅栅极的顶面，有利于增加栅极接触孔插塞与多晶硅栅极之间的粘附性以及降低栅极接触孔插塞与多晶硅栅极之间的接触电阻；保护层能够对金属栅极起到保护的作用，有利于降低金属栅极受损的几率以及减小形成栅极硅化物层的过程对金属栅极的影响。