半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010492511.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113764505A | 公开（公告）日 | 2021-12-07 |
| 申请公布号 | CN113764505A | 申请公布日 | 2021-12-07 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡巧明;张云香 | 申请（专利权）人 | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市一法律师事务所 | 代理人 | 刘荣娟 |
| 地址 | 100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及隔离所述第一区域和第二区域的隔离结构，所述隔离结构包括与所述第一区域相邻的第一隔离部及与所述第二区域相邻的第二隔离部，所述第一隔离部的顶面与所述第二隔离部的顶面之间通过斜面连接；残余介质层，位于部分所述第一隔离部、部分第二隔离部以及所述斜面的表面；阻挡层，覆盖所述残余介质层的表面；侧墙，覆盖所述阻挡层及残余介质层的侧壁。本申请的半导体结构能够解决残余介质层的金属污染问题。 |
