半导体器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010492607.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113764506A | 公开（公告）日 | 2021-12-07 |
| 申请公布号 | CN113764506A | 申请公布日 | 2021-12-07 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡巧明;张云香 | 申请（专利权）人 | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市一法律师事务所 | 代理人 | 刘荣娟 |
| 地址 | 100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底；去除所述第一栅极结构的第一阻挡层和部分栅极层，使所述第一区域的栅极层顶面低于所述第二区域的栅极层顶面；在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底中形成应力外延层；在所述第一区域的栅极层表面和所述应力外延层表面形成金属硅化物层。本申请提供的半导体器件及其形成方法，通过在研磨工艺之前将第一区域的栅极层高度降低，使第一区域栅极层的高度低于第二区域栅极层的高度，保证在后续的研磨工艺中，不会研磨到第一区域的金属硅化物层，从而避免研磨工艺行为发生异常。 |
