转接板及其形成方法、封装方法以及封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202010571641.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113903721A | 公开（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申请公布号 | CN113903721A | 申请公布日 | 2022-01-07 |
| 分类号 | H01L23/498（2006.01）I;H01L23/522（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡巧明;杨列勇;陈炜;卢小雨 | 申请（专利权）人 | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高静 |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种转接板及其形成方法、封装方法以及封装结构，转接板的形成方法包括：提供基底，包括互连区和电容区，基底包括相背的正面和背面；对基底的正面进行刻蚀，在互连区的基底中形成第一沟槽、以及在电容区的基底中形成第二沟槽；在第二沟槽中形成电容器；刻蚀第一沟槽下方的部分厚度基底，形成导电通孔；在导电通孔中形成通孔互连结构；对基底的背面进行减薄处理，露出通孔互连结构。本发明实施例还在转接板中形成电容器，从而将形成电容器和形成转接板的工艺相整合，省去了额外进行形成电容器的步骤，有利于节约工序、提高工艺整合度，进而降低工艺成本、缩短生产周期，而且还提高转接板的功能多样性，从而使转接板的应用场景多样化。 |
