半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010615707.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113871410A | 公开（公告）日 | 2021-12-31 |
| 申请公布号 | CN113871410A | 申请公布日 | 2021-12-31 |
| 分类号 | H01L27/24（2006.01）I;H01L45/00（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡巧明;张烨;王哲 | 申请（专利权）人 | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高静 |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括存储器区，基底中形成有下层金属互连结构；在存储器区的基底上形成多个阻变存储单元结构、以及覆盖阻变存储单元结构侧壁的第一介电层，阻变存储单元结构底部与下层金属互连结构相连；在存储器区中，在相邻阻变存储单元结构之间的第一介电层上形成刻蚀阻挡层；形成覆盖阻变存储单元结构、刻蚀阻挡层和第一介电层的第二介电层；刻蚀存储器区的第二介电层，形成底部露出多个阻变存储单元结构和刻蚀阻挡的互连槽；在互连槽中形成上层金属互连结构。本发明利用刻蚀阻挡层对位于其下方的第一介电层起到保护作用，从而提高半导体结构的性能。 |
