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半导体结构及其形成方法

基本信息

申请号	CN202010613547.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113871409A	公开（公告）日	2021-12-31
申请公布号	CN113871409A	申请公布日	2021-12-31
分类号	H01L27/24（2006.01）I;H01L45/00（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	蔡巧明;张烨;王哲	申请（专利权）人	中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
代理机构	上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	高静
地址	100176北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢
法律状态	-

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括存储器区，基底中有前层金属互连结构，基底表面露出前层金属互连结构，存储器区基底上形成有阻变存储单元结构，底部与前层金属互连结构相连，基底上形成有覆盖阻变存储单元结构的第一介电层；在阻变存储单元结构顶部的第一介电层中形成第一通孔互连结构；在第一介电层上形成第二介电层；在阻变存储单元结构顶部的第二介电层中形成电连接第一通孔互连结构的第一金属互连结构，第一金属互连结构包括第一金属互连线；在存储器区中，第一金属互连线连接多个第一通孔互连结构。本发明降低第一金属互连线与前层金属互连结构发生短路、或者相邻阻变存储单元结构通过第一金属互连线发生短路的概率。