基于光电镊设备的非晶硅光电层薄膜制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010881471.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111996508A | 公开（公告）日 | 2020-11-27 |
| 申请公布号 | CN111996508A | 申请公布日 | 2020-11-27 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 冯林;曹宇擎;陈迪晓;梁树璋 | 申请（专利权）人 | 苏州黑星科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州市高新区大同路7号4楼402-3工位 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于光电镊设备的非晶硅光电层薄膜制备方法，通过对ITO基片的超声清洗和等离子处理，提高了非晶硅光电层与基底的结合力；磁控溅射制备的薄膜使薄膜表面均匀性高；最后的氮气保护退火处理，有效的降低了光电层的缺陷消除了薄膜的残余应力，且表面形成保护层避免使用中被氧化。本发明的光电层薄膜制备方法，简化了工艺流程，提高了薄膜质量，提高了控制的安全性，降低了成本，从而使含有光电层芯片的光电镊系统可以大规模推广应用到实际细胞测试等试验中，有很强的产业化前景。 |
