一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构
基本信息
| 申请号 | CN202020223057.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211208457U | 公开（公告）日 | 2020-08-07 |
| 申请公布号 | CN211208457U | 申请公布日 | 2020-08-07 |
| 分类号 | H01L31/0352;H01L31/18;C23C14/02;C23C14/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐志成;朱艺红;梁钊铭;陈凯豪;陈建新 | 申请（专利权）人 | 常州中科德材科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 上海沪慧律师事务所 | 代理人 | 郭英 |
| 地址 | 200083 上海市虹口区玉田路500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本专利公开了一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构。其单周期结构包括GaSb层，InAs层和InAsSb界面层三层结构。其制备方法是在II类超晶格周期性结构生长过程中，GaSb生长后直接生长InAs层，InAs生长后，打开Sb快门，使得Sb和InAs层中的As进行元素置换，从而形成InAsSb界面层。其特点在于：由于取消了InSb界面层的直接生长，仅在InAs生长后通过引入Sb浸润形成InAsSb界面层，既满足了应力补偿的需求，又简化了界面制备工艺难度，此外，避免了大失配InSb界面直接生长时引入的岛装结构缺陷，提高了材料性能。 |
