基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310470180.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103500765B | 公开（公告）日 | 2016-01-13 |
| 申请公布号 | CN103500765B | 申请公布日 | 2016-01-13 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈建新;王芳芳;徐志成;周易;徐庆庆 | 申请（专利权）人 | 常州中科德材科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 地址 | 213000 江苏省常州市新北区华山中路23号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法。与传统的II类超晶格结构相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分别由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制备方法是在整个II类超晶格生长过程中，As阀一直处于打开状态，阀位大小与生长InAs层时相同，使得在生长GaSb层和InSb界面层时由于部分As的流出而形成了GaAsSb和InAsSb三元化合物。其特点在于：由于各层中都有共同元素As存在，使得各层的生长温度趋于一致，并使得界面处的互扩散减少。此外，As原子表面活性剂作用，增加了Sb原子的迁移率，降低了Sb团簇的形成几率，减少了材料本身的缺陷，提高了材料性能。 |
