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一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构及制备方法

基本信息

申请号 CN202010126548.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111223948A 公开（公告）日 2020-06-02
申请公布号 CN111223948A 申请公布日 2020-06-02
分类号 H01L31/0352(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 徐志成;朱艺红;梁钊铭;陈凯豪;陈建新 申请（专利权）人 常州中科德材科技发展有限公司
代理机构 上海沪慧律师事务所 代理人 中国科学院上海技术物理研究所
地址 213000 江苏省常州市新北区华山中路23号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构及制备方法。其单周期结构包括GaSb层，InAs层和InAsSb界面层三层结构。其制备方法是在II类超晶格周期性结构生长过程中，GaSb生长后直接生长InAs层，InAs生长后，打开Sb快门，使得Sb和InAs层中的As进行元素置换，从而形成InAsSb界面层。其特点在于：由于取消了InSb界面层的直接生长，仅在InAs生长后通过引入Sb浸润形成InAsSb界面层，既满足了应力补偿的需求，又简化了界面制备工艺难度，此外，避免了大失配InSb界面直接生长时引入的岛装结构缺陷，提高了材料性能。